BSS225
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSS225

采用 SOT-89 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 600 V
数据手册
封装

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BSS225
BSS225
数据手册


商品详情

  • Ciss
    99 pF
  • Coss
    7.6 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.09 A
  • 最高 IDpuls
    0.4 A
  • 最高 Ptot
    1 W
  • QG (typ @10V)
    3.9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    45000 mΩ
  • 最高 RthJA
    125 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    1.3 V 至 2.3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-89
  • 最高 工作温度
    150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
  • 预算价格€/1k
    0.14

推荐的
OPN
BSS225H6327FTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT89-4
封装名 SOT-89
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT89-4
封装名 SOT-89
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 沟道和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 高效率和延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区