CY14B101LA-SZ25XIT

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CY14B101LA-SZ25XIT
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商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B101LA-SZ25XIT是一款 1 Mbit (128 K × 8) 并行 nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器结合在每个存储单元中。 它支持在单 3.0 V 电源 (+20%/–10%) 下进行 25 ns 访问，并使用 VCAP 电容器加软件或 HSB 引脚STORE/RECALL在掉电时自动存储。 工业级 -40 至 85°C、100 万次 STORE 循环和 20 年数据保存期，支持嵌入式系统中的非易失性缓冲。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM 架构
  • 1Mbit SRAM，带非易失性存储器
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚或软件 seq 存储
  • 通过乘方上或软件序列召回
  • tSTORE 最大 8 毫秒
  • tHRECALL 最大 20 毫秒
  • tRECALL 最大 200 微秒
  • 电路供电电压 2.7 V 至 3.6 V
  • 数据保留期限 20 年
  • 1,000 K 非易失性存储循环
  • 低电平电路供电电压抑制低于 2.65 V

产品优势

  • 突然掉电时仍能保持数据
  • 减少用于NVM管理的固件工作量
  • 供电恢复后快速恢复数据
  • 支持硬件和软件控制
  • 可预测的保存时间（最长 8 ms）
  • 可预测的上电回读/恢复时间（20 ms）
  • 欠压/掉电（brownout）期间不会发生写入损坏
  • 3V电源适用于常见的逻辑电源轨
  • 20 年数据保持，适合数据记录应用
  • 100 万次 STORE，支持频繁保存
  • 无限SRAM读写，适合高频访问
  • Busy 标志 (HSB) 简化了时序控制

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区