CY14B108M-ZSP25XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B108M-ZSP25XI

数据手册
封装

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CY14B108M-ZSP25XI
CY14B108M-ZSP25XI
数据手册
  • 实时时钟
    Y
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    Y
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 警报
    Y
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B108M-ZSP25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B108M-ZSP25XI 是一款 8 Mbit (512 K × 16) 并行 nvSRAM，带有集成实时时钟。它的工作电压为 2.7 V 至 3.6 V，工作温度范围为 -40 至 85°C，采用 QuantumTrap 非易失性元件，可实现 20 年的数据保存期和 1,000K 次STORE 耐久性，以及无限次的 SRAM 读/写。掉电时自动存储，上电时自动RECALL，加上闹钟和看门狗定时器，支持数据记录和工业控制。

特性

  • 8Mbit nvSRAM + 集成 RTC
  • 1024K×8 或 512K×16 组织结构
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • 量子阱非易失性元素
  • 1,000 K 非易失性存储操作
  • 20 年数据保留
  • 2.7 V 至 3.6 V 电路供电电压操作
  • RTC 备份电流最大 0.5 uA
  • RTC 电池输入 1.8 V 至 3.6 V
  • 读取周期时间 25 ns 或 45 ns

产品优势

  • 无需 SRAM 电池即可保留数据
  • 断电保存零开销
  • 灵活的保存/恢复系统控制
  • 非易失性技术提升可靠性
  • 高存储耐久性，适用于日志记录
  • 20 年的客户留存率降低服务风险
  • 3V导轨适用于常见的嵌入式电路板
  • 超低功耗 RTC 备份，延长续航
  • 支持纽扣电池或超级电容备份
  • SRAM 读取速度快，适用于实时任务
  • 上电 RECALL，快速恢复状态
  • 集成 RTC，减少外部器件数量

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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