CY14V101Q3-SFXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V101Q3-SFXIT

数据手册
封装

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CY14V101Q3-SFXIT
CY14V101Q3-SFXIT
数据手册


商品详情

  • Frequency
    40 MHz
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY14V101Q3-SFXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY14V101Q3-SFXIT 是一款 1 Mbit (128 K × 8) SPI nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性元件相结合，用于自动数据保存和恢复。它采用 3.0 V～3.6 V 的内核电源 VCC 和 1.65 V～1.95 V 的 I/O 电源 VCCQ 供电；支持 SPI 模式 0 和 3，SCK 最高 30 MHz；并可通过 61～180 µF 的 VCAP 电容在掉电时实现 AutoStore，或通过 HSB 引脚及 SPI 命令执行 STORE/RECALL。 工业温度范围为 -40°C 至 +85°C。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128 K × 8
  • 电源恢复时自动存储 (VCAP)
  • 通过 HSB 引脚或 SPI cmd 存储
  • 乘方向上或通过 SPI 命令调用
  • 量子阱非易失性元素
  • SPI时钟频率最高可达30MHz
  • SPI 模式 0 (0,0) 和 3 (1,1)
  • 电路供电电压 3.0 V 至 3.6 V
  • VCCQ 1.65V 至 1.95V
  • 30 MHz 时平均 10 mA
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K STORE 循环耐久性

产品优势

  • 掉电期间保持 SRAM 数据
  • 每次关机时自动备份
  • 支持按需 STORE，确保安全提交
  • 来电后快速恢复
  • 可靠的非易失性数据存储
  • 30 MHz SPI 实现快速传输
  • 适用于常见的 SPI 0/3 主控
  • 便于与 1.8 V I/O MCU 接口连接
  • 10 mA 工作电流降低功耗
  • 低待机电流减少空闲功耗
  • 20 年数据保持减少维护需求
  • 高 STORE 耐久性，适合数据记录

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区