现货，推荐
符合RoHS标准

CY14V104LA-BA25XIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14V104LA-BA25XIT
CY14V104LA-BA25XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14V104LA-BA25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V104LA-BA25XIT为4 Mbit nvSRAM，组织为512 K × 8，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储集成。支持掉电自动AutoStore（VCAP电容61 µF至180 µF），并可通过软件或HSB引脚执行STORE/RECALL。VCC为3.0 V至3.6 V，I/O VCCQ为1.65 V至1.95 V，25 ns访问时间，100万次STORE，数据保持20年，48球FBGA封装。

特性

  • 25 ns或45 ns访问时间
  • 掉电自动AutoStore
  • 软件或引脚触发STORE
  • 软件或上电触发RECALL
  • 1,000 K次非易失STORE
  • 数据保持20年
  • VCC 3.0 V至3.6 V
  • VCCQ 1.65 V至1.95 V
  • VCAP电容61 uF至180 uF
  • AutoStore电流最大8 mA
  • 待机电流ISB最大8 mA
  • CMOS电平(VIH 0.7×VCCQ)

产品优势

  • 断电自动备份关键数据
  • 快速读取满足实时需求
  • 保存控制方式更灵活
  • 上电RECALL实现快速恢复
  • 支持频繁非易失保存
  • 关键数据长期保存
  • 适配常见3.3 V电源
  • 可直连1.8 V逻辑
  • VCAP电容设计更简单
  • AutoStore时减轻电源负载
  • 待机降低系统功耗
  • CMOS电平易接MCU

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }