CY14V104LA-BA25XIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14V104LA-BA25XIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14V104LA-BA25XIT
CY14V104LA-BA25XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14V104LA-BA25XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V104LA-BA25XIT 是一款 4 Mbit nvSRAM，组织结构为 512 K × 8，结合了快速 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。它支持使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器进行自动存储，以及软件或 HSB 引脚控制 STORE/RECALL 。内核电源 VCC 为 3.0 V～3.6 V，I/O 电源 VCCQ 为 1.65 V～1.95 V；访问时间 25 ns；STORE 循环次数 1M（100 万）次；数据保持时间 20 年；采用 48 球 FBGA 封装。

特性

  • 25 ns 或 45 ns 访问/访问时间
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或器件引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • 1,000 K 非易失存储周期
  • 20 年数据保留
  • 电路供电电压 3.0 V 至 3.6 V 磁芯电源
  • VCCQ 1.65V 至 1.95V VI/O 电源
  • VCAP 电容器 61 uF 至 180 uF
  • 自动存储电流 (ICC4) 最大 8 mA
  • 待机电流 ISB 最大 8 mA
  • CMOS I/O 电平（VIH 0.7×VCCQ）

产品优势

  • 电量丢失时自动备份
  • 快速读取，适用于实时数据
  • 灵活的保存控制选项
  • 上电 RECALL 快速重启/恢复
  • 支持频繁非易失保存
  • 长期保留关键数据
  • 适配标准 3.3 V 电源轨
  • 可直接与 1.8 V 逻辑电平接口
  • VCAP 保持电容设计简单
  • AutoStore 期间便于PSU sizing
  • 待机模式降低空闲功耗
  • 采用 CMOS 电平，便于与 MCU 连接

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区