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CY15B004Q-SXAT

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CY15B004Q-SXAT
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商品详情

  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    16 MHz
OPN
CY15B004Q-SXAT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B004Q-SXAT是一款4-Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM存储器，具备几乎无限的耐久性（1014次读写循环）和65°C下151年数据保持能力。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，支持最高20 MHz的高速SPI（模式0和3）。采用NoDelay™总线速度写入和低工作电流（1 MHz时200 μA），适用于汽车和工业领域频繁写入应用。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保存
  • NoDelay™实时写入
  • SPI总线最高20 MHz
  • 1 MHz时200 μA工作电流
  • 3 μA典型待机电流
  • 2.7 V至3.6 V电源电压
  • 多层硬件/软件写保护
  • 1/4、1/2或全阵列区块保护
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • 20 ns输出数据有效时间

产品优势

  • 断电后数据可靠保存
  • 100万亿次适合频繁写入
  • 151年数据长期安全
  • 实时写入无延迟
  • 20 MHz SPI实现高速传输
  • 低功耗节能设计
  • 待机电流极低省电
  • 兼容标准3 V系统
  • 强大保护防止数据损坏
  • 灵活区块保护提升安全
  • 适应恶劣环境
  • 快速访问提升响应

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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