CY15B016Q-SXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B016Q-SXET

数据手册
封装

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CY15B016Q-SXET
CY15B016Q-SXET
数据手册


商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B016Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B016Q-SXET是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级串行F-RAM，采用SPI接口，支持10万亿（10¹³）次读写和85°C下121年数据保持。工作电压3.0 V至3.6 V，SPI最高16 MHz，1 MHz时工作电流300 μA，典型待机电流20 μA。通过AEC-Q100 Grade 1认证，温度范围–40°C至+125°C，符合RoHS标准，8引脚SOIC封装，具备高级写保护和NoDelay™即时写入。

特性

  • 16-Kbit F-RAM，2K × 8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • SPI接口最高16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 典型20 μA待机电流
  • 3.0 V至3.6 V低压运行
  • –40°C至+125°C工作范围
  • 输出数据有效时间最大25 ns

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟，数据实时更新
  • 支持频繁快速写入
  • 长期数据保存减少维护
  • 高速SPI实现快速访问
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 多重保护防止数据丢失
  • 低功耗节能
  • 适应恶劣温度环境
  • SPI标准接口集成简便
  • 全寿命性能一致
  • 高速时序支持快系统

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区