CY15B064J-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B064J-SXE

数据手册
封装

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CY15B064J-SXE
CY15B064J-SXE
数据手册


商品详情

  • Frequency
    1 MHz
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B064J-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 970
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B064J-SXE是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级F-RAM，采用高可靠性铁电工艺实现非易失性存储。支持10万亿（1013）次读写和121年数据保持，适用于频繁或快速写入。工作电压3.0 V至3.6 V，温度–40°C至+125°C，低功耗，I2C接口至1 MHz，NoDelay™即时写入，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，适用于汽车应用。

特性

  • 64 Kbit非易失性F-RAM，8K×8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保持（85°C）
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • 支持最高1 MHz I2C串行接口
  • 兼容100 kHz和400 kHz I2C时序
  • 100 kHz时120 μA工作电流
  • 6 μA待机电流
  • VDD工作电压3.0 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 可直接替换串行I2C EEPROM
  • 先进高可靠铁电工艺

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 10¹³次循环适合频繁记录
  • 121年数据保存防止丢失
  • 无写入延迟提升响应速度
  • 1 MHz I2C实现高速访问
  • 兼容旧I2C设计
  • 低工作电流降低功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • 3.0–3.6 V适配标准电源
  • –40°C至+125°C宽温运行
  • 直接替换简化升级
  • 高可靠性满足严苛应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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