现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B064J-SXET

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B064J-SXET
CY15B064J-SXET
每件.
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.65 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
CY15B064J-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY15B064J-SXET是一款64 Kbit（8K × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，具备10万亿次（10¹³）读写耐久性和在85°C下121年数据保持。工作电压3.0 V至3.6 V，支持最高1 MHz时钟，低功耗（100 kHz下最大120 μA工作电流，85°C下6 μA待机）。通过AEC-Q100 Grade 1认证，RoHS合规，8引脚SOIC封装。NoDelay™写入技术实现总线速率下即时写入，适用于汽车、数据记录和工业控制等高可靠性频繁写入场合。

特性

  • 64 Kbit非易失性F-RAM，8K×8结构
  • 10万亿次读写耐久性
  • 121年数据保持（85°C）
  • NoDelay™写入，数据即时存储
  • 支持最高1 MHz I2C串行接口
  • 兼容100 kHz和400 kHz I2C时序
  • 100 kHz时120 μA工作电流
  • 6 μA待机电流
  • VDD工作电压3.0 V至3.6 V
  • 工作温度–40°C至+125°C
  • 可直接替换串行I2C EEPROM
  • 先进高可靠铁电工艺

产品优势

  • 断电后数据依然可靠
  • 10¹³次循环适合频繁记录
  • 121年数据保存防止丢失
  • 无写入延迟提升响应速度
  • 1 MHz I2C实现高速访问
  • 兼容旧I2C设计
  • 低工作电流降低功耗
  • 6 μA待机延长电池寿命
  • 3.0–3.6 V适配标准电源
  • –40°C至+125°C宽温运行
  • 直接替换简化升级
  • 高可靠性满足严苛应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }