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CY15B102N-ZS60XA
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CY15B102N-ZS60XA

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CY15B102N-ZS60XA
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商品详情

  • 密度
    2048 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    60 ns

OPN
CY15B102N-ZS60XA
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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CY15B102N-ZS60XA是一款2-Mbit（128K × 16）汽车级F-RAM™存储器，具备100万亿次读写耐久性和151年数据保存能力。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，访问时间为60 ns，页面模式周期为30 ns。可作为SRAM的直接替换，工作电流低。44引脚TSOP-II封装，符合RoHS标准，抗湿气、冲击和振动，适用于汽车和工业系统。

特性

  • 2-Mbit F-RAM，128K × 16结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入技术
  • 页模式操作，30ns周期
  • SRAM兼容，128K × 16引脚
  • 软件可编程块写保护
  • 工作电流7mA，待机120μA
  • 低压运行：VDD=2.0V至3.6 V
  • 睡眠模式，极低电流
  • 单片高可靠工艺
  • 真正SRAM直插替换

产品优势

  • 实现频繁快速非易失写入
  • 免除电池SRAM维护
  • 151年数据保存，无需刷新
  • NoDelay™写入降低延迟
  • 页模式提升吞吐，30ns周期
  • 轻松替换SRAM，无需改板
  • 写保护防止数据丢失
  • 低功耗节能
  • 2.0V至3.6V宽电压工作
  • 睡眠模式待机省电
  • 高可靠性适用严苛环境
  • 单片设计便于集成

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区