CY15B102QN-50SXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102QN-50SXIT

数据手册
封装

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CY15B102QN-50SXIT
CY15B102QN-50SXIT
数据手册


商品详情

  • Frequency
    50 MHz
  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B102QN-50SXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B102QN-50SXIT是一款2 Mb EXCELON™ LP铁电RAM（F-RAM），采用SPI接口，组织为256K × 8，支持高达50 MHz的时钟频率。具备10^15次读写循环的几乎无限耐久性和60°C下151年数据保持能力。工作电压为1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，具有低工作电流（40 MHz时典型2.4 mA）和低待机电流（典型2.6 µA），集成高级写保护，8引脚SOIC封装。

特性

  • 2Mb铁电RAM，256K×8结构
  • 10^15次读写耐久
  • 151年数据保存（60°C）
  • 即时非易失性写入无延迟
  • SPI接口最高50 MHz，支持0/3模式
  • 硬件/软件高级写保护
  • 专用256字节特殊区F-RAM
  • 唯一设备ID和序列号
  • 有源电流2.4 mA（40 MHz）
  • 待机电流2.3 µA，深电源0.7 µA
  • 休眠模式0.1 µA典型
  • 输入/输出漏电流最大±1 µA

产品优势

  • 适合频繁/快速数据存储
  • 消除写入延迟提升速度
  • 断电无数据丢失
  • 降低系统功耗
  • 延长便携设备电池寿命
  • 支持高速SPI微控制器
  • 简化设备身份认证
  • 保护关键数据防误写
  • 特殊区耐回流焊
  • 易替换串行EEPROM/闪存
  • 适用于多设备SPI总线
  • 高耐久降低维护成本

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区