请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

CY15B108QN-20LPXIT

停产
数据手册
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B108QN-20LPXIT
CY15B108QN-20LPXIT
视图替换
数据手册

商品详情

  • 密度
    8192 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    SPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    20 MHz
OPN
CY15B108QN-20LPXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B108QN-20LPXIT是一款8Mb EXCELON™ LP铁电RAM（F-RAM），采用1024K × 8结构，支持高达40 MHz的SPI接口。其读写耐久度高达10^15次，在70°C下可保持数据151年。工作电压1.8 V至3.6 V，工业级温度范围（–40°C至+85°C），低功耗，具备高级写保护、256字节专用区及唯一设备识别，8引脚GQFN封装。

特性

  • 8Mb铁电RAM，1024K × 8结构
  • 10^15次读写循环，几乎无限
  • 70°C下数据保留151年
  • SPI接口最高40 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 即时非易失性写入，无延迟
  • 40 MHz下有源电流2.6 mA
  • 深度掉电与休眠模式
  • 硬件/软件写保护
  • 唯一设备和序列号ID
  • 256字节特殊扇区安全存储
  • 工业温度范围–40°C至+85°C

产品优势

  • 151年后数据依然可靠
  • 无写入延迟，数据即时更新
  • 适合频繁快速数据记录
  • 40 MHz SPI实现系统高速访问
  • 低功耗延长电池寿命
  • 多种省电模式节能
  • 敏感数据安全存储
  • 写保护防止数据损坏
  • 唯一ID便于追溯管理
  • 可替换串行EEPROM/闪存
  • 可在恶劣工业环境下工作
  • 高耐久性降低维护需求

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }