CY15E004Q-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E004Q-SXE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15E004Q-SXE
CY15E004Q-SXE
数据手册


商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15E004Q-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15E004Q-SXE是一款4-Kbit（512×8）汽车级串行F-RAM，采用SPI接口，支持10万亿（10¹³）次读写和85°C下121年数据保持。工作电压4.5 V至5.5 V，SPI时钟最高16 MHz，符合AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125°C）标准。NoDelay™写入、1 MHz时300 μA低工作电流、85°C下10 μA待机电流，适用于汽车和工业领域的即时可靠数据存储。硬件/软件写保护和8引脚SOIC封装确保集成可靠。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作电压4.5-5.5 V
  • 工作温度-40°C至+125°C
  • 先进铁电工艺

产品优势

  • 可靠非易失性数据存储
  • 无写入延迟，快速更新
  • 支持频繁高速写入
  • 高温下数据长期保存
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 低功耗延长系统寿命
  • 宽电压温度适用灵活
  • 多重保护保障数据安全
  • 高速SPI简化集成
  • 无需磨损均衡或刷新
  • 恶劣环境下稳定运行
  • 全寿命性能一致

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区