CY15V104QSN-108SXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15V104QSN-108SXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15V104QSN-108SXI
CY15V104QSN-108SXI
数据手册


商品详情

  • Frequency
    108 MHz
  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 工作电压 范围
    1.71 V 至 1.89 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    QSPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15V104QSN-108SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15V104QSN-108SXI是一款4 Mbit EXCELON™ Ultra铁电RAM，具备高达108 MHz SDR和54 MHz DDR的高速四路SPI接口。其耐久性高达100万亿次读写循环，65°C下数据保持151年。工作电压1.71 V至1.89 V，温度范围-40°C至+85°C，支持瞬时非易失性写入，内置ECC和CRC保障数据完整性，并提供先进的保护功能。8引脚SOIC封装，符合RoHS标准，适用于工业用途。

特性

  • 4 Mbit F-RAM，512K × 8结构
  • 10^14次读写耐久
  • 151年数据保存
  • 四/双/扩展SPI协议
  • SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
  • 支持XIP直接执行
  • 硬件/软件写保护
  • 内置ECC和CRC数据完整性
  • 唯一设备及序列号
  • 专用256字节特殊区
  • 低工作电流10 mA，待机110 µA
  • 深度掉电与休眠模式

产品优势

  • 151年数据可靠保存
  • 写入无延迟，数据即刻存储
  • 高频写入无磨损风险
  • 108 MHz SPI快速访问
  • 灵活接口易于集成
  • ECC/CRC保障数据完整
  • 写保护提升安全性
  • 唯一ID便于追溯
  • 特殊区耐回流焊
  • 低功耗适合节能设计
  • 休眠模式延长电池寿命
  • XIP支持直接代码执行
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区