CY62128ELL-55ZAXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62128ELL-55ZAXE

数据手册
封装

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CY62128ELL-55ZAXE
CY62128ELL-55ZAXE
数据手册


商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62128ELL-55ZAXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (51-85094)
封装尺寸 468
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (51-85094)
封装尺寸 468
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62128ELL-55ZAXE is a 1-Mbit (128 K × 8) CMOS static RAM with 55 ns access time for 5 V systems. It operates from 4.5 V to 5.5 V over –40°C to +125°C (Automotive-E) and supports automatic power-down when deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW), with I/Os in high impedance. Typical current is 1.3 mA at 1 MHz and 1 µA standby (30 µA max). It is offered in a 32-pin Pb-free STSOP for processor memory and buffer use.

特性

  • 128K × 8 SRAM organization
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 4.5 V to 5.5 V VCC operation
  • 1.3 mA typ ICC at 1 MHz
  • 1 µA typ standby current
  • Auto CE power-down (ISB2)
  • CE1/CE2 and OE chip controls
  • High-Z outputs when deselected
  • TTL-compatible input levels
  • VIH 2.2 V, VIL 0.8 V thresholds
  • 10 pF max input capacitance
  • tDOE 22 ns OE to data valid

产品优势

  • Fast 45 ns cycles cut latency
  • 5 V supply fits legacy designs
  • 1.3 mA typ lowers active power
  • 1 µA standby extends battery life
  • Auto power-down saves idle energy
  • CE1/CE2 simplify memory expansion
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • TTL levels ease MCU/CPU interface
  • Defined thresholds reduce errors
  • Low capacitance eases timing margins
  • 22 ns OE read improves response
  • Lower standby cuts thermal load

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区