CY62128EV30LL-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62128EV30LL-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62128EV30LL-45ZXIT
CY62128EV30LL-45ZXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62128EV30LL-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-I-32 (51-85056)
封装尺寸 1500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH,TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-I-32 (51-85056)
封装尺寸 1500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH,TW
晶圆产地
US
CY62128EV30LL-45ZXIT是一款1 Mbit（128K×8）CMOS异步SRAM，访问时间45 ns，适用于3 V级嵌入式存储。工作电压2.2 V至3.6 V，工业级温度范围–40°C至+85°C。低功耗内核：1 MHz时典型1.3 mA工作电流，典型1 µA待机电流（最大4 µA）；未选通时自动掉电、输出高阻，并提供CE1/CE2/OE控制便于存储器扩展。

特性

  • 1 Mbit SRAM，128K×8组织
  • 45 ns读/写周期时间
  • 2.2 V至3.6 V单电源
  • 自动CE掉电(ISB1/2)
  • 待机电流1 µA典型4 µA最大
  • 1 MHz时典型1.3 mA工作电流
  • VCC=1.5 V数据保持(VDR)
  • 数据保持电流最大3 µA
  • OE/WE三态控制I/O总线
  • 输入/输出电容最大10 pF
  • ESD>2001 V(883-3015)
  • 工作环境-40°C至+85°C

产品优势

  • 满足小型代码/数据存储
  • 45 ns实现快速存储访问
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • 掉电模式降低空闲功耗
  • µA级待机延长电池寿命
  • 低工作电流降低能耗
  • 备份供电下保持数据
  • 3 µA最大便于保持电路设计
  • 三态总线简化扩展
  • 低电容改善信号完整性
  • 更强ESD降低现场失效
  • -40°C至+85°C提升可靠性
文档

设计资源

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