CY62136EV30LL-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62136EV30LL-45BVXI

数据手册
封装

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CY62136EV30LL-45BVXI
CY62136EV30LL-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62136EV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62136EV30LL-45BVXI是一款2 Mbit（128K×16）CMOS SRAM，适用于便携式电池供电系统。工作电压2.2 V至3.6 V（典型3.0 V），速度45 ns。超低功耗：自动CE断电待机电流最大7 µA（典型1 µA），1 MHz下工作电流最大2.5 mA。BLE/BHE字节使能支持8位写入。工业级-40°C至+85°C。Pb-free 48球VFBGA封装。

特性

  • 128K16 CMOS SRAM
  • 45 ns
  • VCC
  • 1 MHz mA
  • CE
  • 16 I/O BLE/BHE
  • CE/OE
  • VCC=1.0 V
  • ICCDR 3 cA (1.0 V)
  • OE 22 ns

产品优势

  • 45 ns
  • 2.2 3.6 V
  • 1 cA
  • 7 cA
  • 1 MHz mA
  • CE
  • 1.0 V
  • ICCDR
  • OE
  • 16

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区