CY62137EV30LL-45ZSXI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62137EV30LL-45ZSXI

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CY62137EV30LL-45ZSXI
CY62137EV30LL-45ZSXI


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62137EV30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
US
CY62137EV30LL-45ZSXI is a 2-Mbit (128 K × 16) CMOS SRAM for 2.2 V to 3.6 V operation in industrial -40 to 85°C systems. This 45 ns asynchronous device uses CE, OE, WE and byte enables (BLE/BHE) for read/write control. It supports automatic power-down when deselected, with standby current 1 µA typical and 7 µA max at 3.6 V. Active current is 2.0 mA typical at 1 MHz (2.5 mA max). It is offered in Pb-free 44-pin TSOP II (ZS).

特性

  • 2 Mbit SRAM, 128K × 16
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC 2.2 V to 3.6 V operation
  • Standby 1 µA typ, 7 µA max
  • ICC 2.0 mA typ at 1 MHz
  • Automatic CE power-down mode
  • Data retention at VCC = 1 V
  • ICCDR 0.8 µA typ, 3 µA max
  • OE/CE/BLE/BHE tri-state outputs
  • Byte write enables BLE/BHE
  • tDOE 22 ns OE to data valid
  • Input/output leakage ±1 µA

产品优势

  • Fits 16-bit MCU/FPGA buses
  • 45 ns access reduces wait states
  • 2.2–3.6 V suits 3 V rails
  • µA standby extends battery life
  • Low ICC cuts active power budget
  • Auto power-down saves idle energy
  • 1 V retention supports backup rail
  • Low ICCDR enables long retention
  • Tri-state I/O eases bus sharing
  • Byte enables reduce write energy
  • Fast tDOE improves read latency
  • Low leakage reduces node loading

应用

文档

设计资源

开发者社区