CY62137EV30LL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62137EV30LL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62137EV30LL-45ZSXI
CY62137EV30LL-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62137EV30LL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62137EV30LL-45ZSXI是一款2-Mbit（128 K × 16）CMOS SRAM，工作电压2.2 V至3.6 V，适用于工业级-40至85°C系统。该45 ns异步器件通过CE、OE、WE及字节使能（BLE/BHE）控制读写。取消选通时支持自动掉电；3.6 V下待机电流典型1 µA、最大7 µA。1 MHz时有源电流典型2.0 mA、最大2.5 mA。提供无铅44引脚TSOP II（ZS）封装。

特性

  • 2 Mbit SRAM，128K×16
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC 2.2 V至3.6 V
  • 待机1 µA典型，7 µA最大
  • ICC 2.0 mA典型@1 MHz
  • 自动CE掉电模式
  • VCC=1 V数据保持
  • ICCDR 0.8 µA典型，3 µA最大
  • OE/CE/BLE/BHE三态输出
  • BLE/BHE字节写使能
  • tDOE 22 ns：OE到数据有效
  • 输入/输出漏电±1 µA

产品优势

  • 适配16位MCU/FPGA总线
  • 45 ns访问减少等待周期
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • µA级待机延长电池寿命
  • 低ICC降低工作功耗预算
  • 自动掉电节省空闲能耗
  • 1 V保持支持备份电源
  • 低ICCDR实现更久保持
  • 三态I/O便于多器件共享
  • 字节使能降低写入能耗
  • 快速tDOE降低读延迟
  • 低漏电减小节点负载

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区