CY62137FV18LL-55BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62137FV18LL-55BVXI

数据手册
封装

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CY62137FV18LL-55BVXI
CY62137FV18LL-55BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62137FV18LL-55BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62137FV18LL-55BVXI是一款2 Mbit（128K×16）高性能CMOS静态SRAM，适用于便携式电池供电设计。器件工作电压1.65 V至2.25 V、温度-40°C至+85°C，访问时间55 ns。地址不切换时支持自动掉电以降低电流，待机电流典型1 µA（最大5 µA）。1 MHz下典型工作电流1.6 mA。采用无铅48球VFBGA封装。

特性

  • 128K×16 CMOS静态RAM
  • 读周期tRC=55 ns
  • 写周期tWC=45 ns
  • VCC范围1.65–2.25 V
  • 待机电流典型1 µA
  • 待机电流最大5 µA
  • 1 MHz时ICC典型1.6 mA
  • 未选通自动掉电
  • BLE/BHE字节使能8位
  • OE控制I/O三态输出

产品优势

  • 16位总线减少访问周期
  • 55 ns访问支持高速MCU
  • 45 ns写入提升吞吐量
  • 适配1.8 V低压电源
  • 1 µA待机延长电池续航
  • 5 µA最大便于功耗预算
  • 低工作电流降低发热
  • 自动掉电节省能耗
  • 字节写降低总线翻转功耗
  • 三态总线便于扩展共享

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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