CY62138EV30LL-45BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62138EV30LL-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62138EV30LL-45BVXIT
CY62138EV30LL-45BVXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62138EV30LL-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62138EV30LL-45BVXI是一款2 Mbit（256 K×8）CMOS静态RAM，适用于便携式与嵌入式存储扩展。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，访问时间45 ns。低功耗包括1 MHz下ICC典型2 mA，以及自动CE掉电，待机电流典型1 µA（最大7 µA）。CMOS电平与三态输出便于总线共享，封装为Pb-free 36球VFBGA。

特性

  • 256 K×8 CMOS SRAM
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 待机典型1 µA, 最大7 µA
  • 1 MHz时典型2 mA有源电流
  • CE为高自动掉电
  • VCC=1 V支持数据保持
  • 1 V时ICCDR典型0.8 µA
  • CE/OE支持存储扩展
  • 未选通时输出高阻态
  • CIN/COUT最大10 pF

产品优势

  • 适配8位存储器总线
  • 45 ns满足高速CPU访问
  • 2.2-3.6 V兼容3 V电源
  • 1 µA待机延长电池续航
  • 低有源电流降低能耗
  • 自动掉电节省空闲功耗
  • 备份供电下保持数据
  • µA级保持支持断电保活
  • CE/OE简化存储扩展
  • 高阻态便于总线共享
  • 低电容改善时序与EMI

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区