CY62146G-45ZSXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G-45ZSXAT

数据手册
封装

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CY62146G-45ZSXAT
CY62146G-45ZSXAT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62146G-45ZSXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62146G-45ZSXAT是一款通过AEC-Q100认证的4-Mbit（256K×16）CMOS静态RAM，内置ECC可进行单比特纠错。器件访问时间45 ns，工作电压2.2 V至3.6 V或4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至85°C。通过BHE与BLE支持按字节读写，CE失效时I/O为高阻态。44引脚TSOP II卷带封装适用于需要高速并行存储器的汽车ECU。

特性

  • 4 Mb SRAM，256K×16
  • 内置ECC纠正1位错误
  • 读周期时间45 ns(tRC)
  • 地址到数据有效45 ns
  • OE到数据有效22 ns
  • 写周期时间45 ns(tWC)
  • WE脉宽35 ns(tPWE)
  • 待机电流典型3.5 µA
  • fMAX时ICC典型15 mA
  • 1.0 V数据保持(VDR)
  • 保持电流最大13 µA
  • I/O漏电流最大±1 µA

产品优势

  • ECC提升数据完整性
  • 16位总线提升吞吐量
  • 45 ns周期实现快速读取
  • 22 ns OE降低读延迟
  • 45 ns写周期实现快速写入
  • 3.5 µA待机降低功耗
  • 1.0 V掉电期间保持数据
  • 保持电流低节省能量
  • 低漏电减少功耗损失
  • 位错误可纠正更可靠
  • 异步SRAM时序易实现
  • Hi-Z输出便于共享总线

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区