CY62146G30-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G30-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62146G30-45ZSXI
CY62146G30-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62146G30-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY62146G30-45ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. The -45 speed grade supports 45 ns access at 2.2 V–3.6 V over the industrial range (-40°C to +85°C). It is offered in a 44-pin TSOP II package (ZS) with single chip enable, supports byte writes via BLE/BHE, and reduces standby power with ISB2 of 3.5 µA typ (8.7 µA max).

特性

  • 4-Mbit SRAM (256K × 16)
  • Embedded ECC single-bit correct
  • 45 ns or 55 ns read cycle
  • OE access 22 ns (45 ns grade)
  • 16-bit I/O with byte enables
  • Address bus A0-A17 (18 bits)
  • Single or dual chip enable inputs
  • Auto power-down standby 3.5 µA typ
  • Standby current 8.7 µA max
  • 1.0-V data retention mode
  • TTL-compatible I/O levels
  • Outputs go HI-Z when deselected

产品优势

  • Fits 16-bit memory maps easily
  • ECC corrects bit errors on read
  • 45 ns supports fast CPU access
  • 22 ns OE enables low read latency
  • Byte writes reduce bus bandwidth
  • 18-bit address simplifies decode
  • Flexible CE options ease design-in
  • µA standby extends battery life
  • Low max standby eases power budget
  • Retention saves data in deep sleep
  • TTL I/O eases logic interfacing
  • HI-Z outputs simplify bus sharing
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