CY62146G30-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G30-45ZSXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62146G30-45ZSXI
CY62146G30-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62146G30-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62146G30-45ZSXI是一款4-Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。-45速度等级在2.2 V–3.6 V、工业温度范围（-40°C至+85°C）下支持45 ns访问。器件采用44引脚TSOP II（ZS，单片选），支持BLE/BHE字节写入，并以ISB2实现低待机功耗：3.5 µA典型值（8.7 µA最大值）。

特性

  • 4 Mbit SRAM(256K×16)
  • 内置ECC单比特纠错
  • 45 ns或55 ns读周期
  • OE访问22 ns(45 ns)
  • 16位I/O带字节使能
  • 地址总线A0-A17(18位)
  • 单或双片选使能输入
  • 自动掉电待机3.5 µA典型
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容I/O电平
  • 未选通输出为高阻

产品优势

  • 轻松匹配16位存储映射
  • 读出时自动纠正比特错误
  • 45 ns支持更快CPU访问
  • 22 ns OE降低读延迟
  • 字节写减少总线带宽占用
  • 18位地址简化译码
  • 片选方式灵活易导入设计
  • 微安待机延长电池寿命
  • 低待机上限便于功耗预算
  • 深度休眠仍可保持数据
  • TTL I/O便于逻辑接口
  • 高阻输出便于共享总线
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区