CY62148ESL-55ZAXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62148ESL-55ZAXI

数据手册
封装

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CY62148ESL-55ZAXI
CY62148ESL-55ZAXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62148ESL-55ZAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (51-85094)
封装尺寸 1170
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (51-85094)
封装尺寸 1170
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62148ESL-55ZAXI是一款4-Mbit（512K×8）CMOS异步SRAM，55 ns访问时间，用于处理器存储与缓冲。电源范围2.2 V至3.6 V或4.5 V至5.5 V，CE撤销时自动掉电，待机电流典型2.5 µA、最大7 µA。1 MHz下典型工作电流3.5 mA。非选通时I/O为高阻。采用32引脚无铅STSOP（ZA）工业级封装。

特性

  • 512K×8 CMOS SRAM
  • 访问时间高达55 ns
  • VCC为2.2–3.6V或4.5–5.5 V
  • 1 MHz典型有源电流3.5 mA
  • fmax时ICC最大20 mA
  • 待机2.5 µA典型, 7 µA最大
  • CE未选中自动掉电
  • 8位I/O带三态输出
  • 支持TTL电平输入接口
  • CE/OE/WE读写控制
  • tDOE 25 ns OE低到数据有效
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

产品优势

  • 55 ns访问支持高速读取
  • 适配3.3 V或5 V电源轨
  • 2.5 µA待机延长电池寿命
  • 自动掉电降低空闲能耗
  • 3.5 mA有源降低功耗
  • 8位总线简化主机设计
  • 三态I/O便于总线共享
  • CE/OE控制便于扩展
  • TTL输入便于接入旧MCU
  • 25 ns OE访问降低延迟
  • 高ESD提升装配良率
  • -40°C到+85°C适用严苛环境

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区