CY62148EV30LL-45BVIT
现货，推荐

CY62148EV30LL-45BVIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62148EV30LL-45BVIT
CY62148EV30LL-45BVIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62148EV30LL-45BVIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P -VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P -VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY62148EV30LL-45BVIT是一款4 Mbit（512K×8）CMOS异步SRAM，45 ns访问时间，适用于低功耗便携与嵌入式系统。工作电压2.2 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C；ICC典型为1 MHz时3.5 mA（fmax时最大20 mA），待机典型2.5 µA（最大7 µA）。通过CE/OE/WE控制、自动掉电及高阻I/O，实现总线共享与存储器扩展，采用36球VFBGA封装。

特性

  • 4 Mbit SRAM（512K×8）
  • 2.2 V至3.6 V供电
  • 读周期时间tRC为45 ns
  • OE拉低至数据有效22 ns
  • CE为高时自动掉电
  • 待机电流典型2.5 µA
  • 待机电流最大7 µA
  • 1 MHz时典型3.5 mA
  • VCC=1.5 V数据保持
  • 保持电流最大8.8 µA
  • CE/OE高时I/O高阻
  • 输入/输出电容最大10 pF

产品优势

  • 高速读出减少CPU等待
  • 宽VCC适配3.3 V系统
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 低工作电流节省能耗
  • 1.5 V保持防止数据丢失
  • 高阻输出便于总线共享
  • 低电容利于高速信号边沿
  • 快速OE访问提升吞吐率
  • CE/OE控制简化扩展
  • 低供电电流减少发热
  • 时序明确简化设计验证

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区