CY62148G-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62148G-45ZSXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62148G-45ZSXI
CY62148G-45ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62148G-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 234
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
CN
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 234
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
CN
晶圆产地
TW
CY62148G-45ZSXI is a 4-Mbit (512K × 8) MoBL™ CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. The -45 speed grade supports 45 ns access. It operates over -40°C to +85°C from a 4.5 V to 5.5 V supply and supports 1.0-V data retention. Automatic power-down standby is 3.5 µA typical and 8.7 µA max. The device uses CE/WE/OE control and is available in a 32-pin TSOP II Pb-free package.

特性

  • 4-MB SRAM (512K × 8)
  • 45 ns / 55 ns access time
  • Embedded ECC, single-bit correct
  • Separate CE, OE, WE control pins
  • HI-Z outputs when deselected
  • 1.0 V data retention mode
  • Data retention current 13 µA max
  • Standby current 8.7 µA max
  • VCC options: 1.65–2.2/3.6/5.5 V
  • Industrial temp: −40°C to +85°C
  • Input/output leakage ±1 µA max
  • Output enable to data 22/25 ns max

产品优势

  • Fits 8-bit, 4-MB SRAM buffers
  • Fast reads/writes cut wait states
  • ECC helps protect stored data
  • Simple async interface eases design
  • HI-Z supports shared data buses
  • Retains data with 1.0 V backup
  • Low ICCDR extends backup time
  • Ultra-low standby saves energy
  • Multiple VCC eases rail selection
  • Works across −40°C to +85°C
  • Low leakage helps low-power I/O
  • Faster OE improves read latency

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区