CY62148G-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62148G-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62148G-45ZSXI
CY62148G-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62148G-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 234
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 234
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62148G-45ZSXI是一款4 Mbit（512K × 8）MoBL™ CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。-45速度等级支持45 ns访问时间。器件在-40°C至+85°C下工作，供电4.5 V至5.5 V，并支持1.0 V数据保持。自动掉电待机电流典型3.5 µA、最大8.7 µA。采用CE/WE/OE控制，提供无铅32引脚TSOP II封装。

特性

  • 4 MB SRAM（512K×8）
  • 45 ns/55 ns访问时间
  • 内置ECC，纠正1位错误
  • 独立CE/OE/WE控制
  • 未选中时I/O为高阻
  • 1.0 V数据保持模式
  • 数据保持电流最大13 µA
  • 待机电流最大8.7 µA
  • VCC选项1.65–2.2/3.6/5.5 V
  • 温度范围−40°C到+85°C
  • 输入/输出漏电±1 µA
  • OE到数据22/25 ns最大

产品优势

  • 适合4 MB、8位缓冲存储
  • 高速读写减少等待周期
  • ECC提升数据完整性
  • 异步接口简化系统设计
  • 高阻便于共享数据总线
  • 1.0 V备份下保持数据
  • 低ICCDR延长备份时间
  • 超低待机降低能耗
  • 多电源电压便于选轨
  • 覆盖−40°C到+85°C
  • 低漏电利于低功耗I/O
  • 更快OE降低读延迟

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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