CY62157EV30LL-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157EV30LL-45BVXI

适用于工业应用的高密度 8 Mbit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装

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CY62157EV30LL-45BVXI
CY62157EV30LL-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62157EV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62157EV30LL-45BVXI是一款8-Mbit（512K×16）CMOS SRAM，访问时间45 ns，电源2.20 V至3.60 V。ICC典型6 mA（1 MHz，fmax典型18 mA），待机ISB典型2 µA、最大8 µA。支持自动CE省电与VDR=1.5 V数据保持（ICCDR最大8 µA），适合电池供电存储。Pb-free 48-ball VFBGA封装，工业级–40°C至+85°C。

特性

  • 8 Mbit SRAM，512K×16
  • 可配512K×16或1M×8
  • 读周期tRC=45 ns
  • OE到数据有效tDOE=22 ns
  • VCC范围2.20 V到3.60 V
  • 待机电流典型2 µA
  • 1 MHz典型有源6 mA
  • 未选通自动掉电
  • BHE/BLE字节使能8位
  • 未选通输出高阻
  • 1.5 V下数据保持VDR
  • I/O电容最大10 pF

产品优势

  • 8 Mbit容量节省板上空间
  • 1M×8便于总线匹配
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 22 ns OE实现快速读出
  • 2.2–3.6 V适配常用电源
  • 2 µA待机延长电池续航
  • 6 mA有源降低运行功耗
  • 自动掉电降低空闲耗电
  • 字节写避免读改写
  • 高阻I/O便于总线共享
  • 1.5 V保持支持睡眠保数据
  • 10 pF I/O改善信号完整性
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