CY62158EV30LL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62158EV30LL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62158EV30LL-45ZSXIT
CY62158EV30LL-45ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62158EV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62158EV30LL-45ZSXIT是一款8 Mbit（1024K×8）CMOS静态RAM，45 ns访问时间，支持异步读写。工作电压2.2 V至3.6 V，工业温度范围−40°C至+85°C。面向低功耗设计，1 MHz时典型工作电流6 mA，自动掉电待机典型2 µA（未选通时）。提供无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 8 Mbit SRAM，1024K×8
  • 45 ns读/写周期时间
  • OE到数据有效22 ns
  • 单电源2.2 V至3.6 V
  • 1 MHz典型有源6 mA
  • fmax典型18 mA，最大25
  • 典型待机2 µA，最大8
  • 未选通自动掉电
  • VCC≥1.5 V数据保持
  • ICCDR典型3.2 µA
  • OE控制三态输出
  • CE1/CE2扩展片选

产品优势

  • 45 ns周期降低访问延迟
  • 22 ns加快读数据输出
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V
  • 有源6 mA延长电池续航
  • 低待机降低休眠耗电
  • 自动掉电节省空闲能耗
  • 1.5 V保持防止数据丢失
  • 三态I/O便于共享总线
  • CE1/CE2便于容量扩展
  • CMOS电平易连MCU
  • 低漏电提升数据可靠性
  • 高速提升系统吞吐量

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区