CY62165E-3XWI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62165E-3XWI

数据手册

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CY62165E-3XWI
CY62165E-3XWI
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    None
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    x8 / x16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 页面访问时间
    45 ns

推荐的
OPN
CY62165E-3XWI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 WAFER UNSAWN
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 WAFER UNSAWN
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
US
CY62165E-3XWI是一款16-Mbit MoBL静态RAM裸片，提供KGD3已知良品，XW为晶圆形式（25–30 mil）。通过焊盘连接可配置为1 M×16或2 M×8组织，订购码标注x16总线。面向工业温度等级，提供CE、WE等控制信号及字节使能（x16模式的BHEB/BLEB），适合嵌入式存储设计。

特性

  • 16 Mbit SRAM(1M×16/2M×8)
  • BYTEB选择×16或×8总线
  • I/O8–I/O15仅×16模式
  • SA为2M×8增加地址
  • WE和OE为低有效控制
  • CE1为低有效片选
  • CE2为高有效片选
  • VCCQ/VSSQ内部接VCC/VSS
  • 所有VCC焊盘在片内短接
  • 所有VSS焊盘在片内短接
  • 所有DNU焊盘必须悬空
  • 每侧至少键合1个VCC/VSS

产品优势

  • ×16或×8匹配主控总线
  • BYTEB绑带减少外部逻辑
  • ×8模式减少需键合I/O
  • SA支持更大×8地址空间
  • WE/OE低有效便于接入
  • 双片选简化地址译码
  • I/O电源便于系统接口
  • VCC/VSS短接降低压降
  • 多电源焊盘提升供电完整性
  • DNU规则降低损坏风险
  • 键合要求减少返工
  • 焊盘表加快芯片集成

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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