CY62167EV18LL-55BVIT
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CY62167EV18LL-55BVIT

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CY62167EV18LL-55BVIT
CY62167EV18LL-55BVIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167EV18LL-55BVIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-VFBGA-48
封装名 BGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-VFBGA-48
封装名 BGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167EV18LL-55BVIT是一款16 Mbit（1 M×16）的CMOS静态RAM，55 ns访问时间，适用于电池供电设计。工作电压1.65 V至2.25 V，温度范围-40°C至85°C。通过BHE/BLE支持字节写入，并提供CE1/CE2/OE控制。自动省电待机电流典型1.5 µA（最大12 µA），1 MHz下典型工作电流2.2 mA。采用48球Pb-free VFBGA封装。

特性

  • 1M×16 CMOS SRAM阵列
  • 55 ns读/写周期时间
  • VCC工作1.65 V至2.25 V
  • 待机电流典型1.5 µA
  • 待机电流最大12 µA
  • 1 MHz典型ICC 2.2 mA
  • fmax时ICC最大30 mA
  • OE/CE三态输出(高阻)
  • BHE/BLE支持字节写入
  • CIN/COUT最大10 pF
  • ESD >2001 V(MIL-STD-883)
  • 环境温度-40°C至+85°C

产品优势

  • 适配16位总线,减少芯片数
  • 55 ns支持高速SRAM访问
  • 低VCC适配低压SoC
  • µA级待机延长电池续航
  • 低最大待机降低休眠功耗
  • 低有源mA降低运行功耗
  • ICC最大30 mA便于电源设计
  • 高阻输出便于多器件共享总线
  • 字节写入减少写带宽
  • 低电容改善信号完整性与时序
  • 高ESD提升装配与搬运良率
  • 宽温工作提升系统可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区