CY62167EV30LL-45BVXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167EV30LL-45BVXAT

数据手册
封装

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CY62167EV30LL-45BVXAT
CY62167EV30LL-45BVXAT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Automotive
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62167EV30LL-45BVXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167EV30LL-45BVXAT是一款16-Mbit CMOS静态RAM，可配置为1M × 16或2M × 8，访问时间45 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，满足Automotive-A（–40°C至+85°C），并可通过CE1、CE2和OE实现存储器扩展。低功耗模式包含自动掉电，待机ISB1/ISB2为1.5 µA典型值（最大12 µA），1 MHz、IOUT=0 mA时典型工作电流2.2 mA。

特性

  • 16 Mbit SRAM，1M×16或2M×8
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 未选通时自动掉电
  • 待机电流典型1.5 µA
  • 1 MHz时典型2.2 mA有源
  • VCC低至1.5 V可保数据
  • VCC=1.5–3.0 V时10 µA max
  • OE/CE/BHE/BLE三态控制
  • 输入/输出漏电±1 µA max

产品优势

  • 适配16位或8位总线设计
  • 45 ns访问支持高速读取
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V系统
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 低有源电流减少发热
  • VCC下跌时仍可保持数据
  • 10 µA保持支持后备供电
  • 三态输出便于扩展/共享总线
  • 低漏电改善低功耗IO表现

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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