CY62167GE30-45ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167GE30-45ZXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62167GE30-45ZXI
CY62167GE30-45ZXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62167GE30-45ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62167GE30-45ZXI是一款16-Mbit MoBL® CMOS SRAM，内置ECC，可配置为1M×16或2M×8，访问时间45 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，待机电流低至1.5 µA（最大8 µA）。BHE/BLE支持高低字节访问，ERR输出在读周期指示单比特纠错，适用于工业系统的可靠缓存。

特性

  • 16 Mbit SRAM；1M×16/2M×8
  • 内置ECC，单比特纠错
  • ERR输出指示纠错事件
  • VCC工作2.2 V至3.6 V
  • 读周期tRC为45 ns
  • 写周期tWC为45 ns
  • 自动掉电待机1.5 µA典型
  • 待机电流最大8 µA(ISB1)
  • 1.0 V数据保持电压(VDR)
  • TTL兼容输入与输出
  • BHE/BLE支持字节写入
  • I/O电容最大10 pF

产品优势

  • 总线宽度可配，少改板
  • ECC纠正1位存储错误
  • ERR引脚便于故障记录
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V系统
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 45 ns写入减少等待周期
  • 1.5 µA典型延长电池续航
  • 8 µA最大降低待机预算
  • 1.0 V保持避免数据丢失
  • TTL I/O便于兼容旧系统
  • 字节使能降低写入功耗
  • 低电容改善信号完整性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区