CY62177EV18LL-70BAXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV18LL-70BAXI

数据手册
封装

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CY62177EV18LL-70BAXI
CY62177EV18LL-70BAXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    70 ns

推荐的
OPN
CY62177EV18LL-70BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY62177EV18LL-70BAXI为32-Mbit CMOS SRAM，可配置为2 M × 16或4 M × 8，用于异步读写缓冲。工作电压1.65 V至2.25 V、温度-40°C至+85°C，访问时间70 ns。1 MHz下有源电流典型4.5 mA（最大5.5 mA），自动CE掉电待机电流典型3 µA、最大25 µA。支持1.0 V数据保持。48球无铅FBGA，适合紧凑设计。

特性

  • 32 Mbit SRAM，2M×16/4M×8
  • 读/写周期时间70 ns
  • VCC工作1.65 V至2.25 V
  • ISB2待机电流典型3 µA
  • ISB2待机电流最大25 µA
  • ICC典型4.5 mA@1 MHz
  • ICC最大45 mA@fMax
  • OE/CE三态输出(高阻)
  • BLE/BHE字节使能(8位)
  • tDOE 35 ns，OE到数据有效

产品优势

  • 适配16位或8位总线设计
  • 70 ns访问提升吞吐量
  • 可用低电压电源轨供电
  • µA级待机延长电池续航
  • 低最大待机降低休眠功耗
  • 低工作电流减少发热
  • 支持更高速总线时序
  • 高阻输出便于总线共享
  • 字节写入减少写带宽
  • 快速OE读加速数据获取

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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