CY7C1011G30-12ZSXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1011G30-12ZSXE

数据手册
封装

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CY7C1011G30-12ZSXE
CY7C1011G30-12ZSXE
数据手册
  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    12 ns
推荐的
OPN
CY7C1011G30-12ZSXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1011G30-12ZSXE是一款2 Mbit（128K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。器件通过AEC-Q100认证，工作电压2.2 V至3.6 V，Automotive-E温度范围−40°C至125°C。该12 ns速度等级提供44引脚TSOP II封装，支持BLE/BHE字节读写；在VCC=3.6 V时，典型ICC 40 mA、ISB2 6 mA。

特性

  • 2 Mbit SRAM，128K×16位
  • 内置ECC，单比特纠错
  • 读周期tRC 10 ns
  • OE到数据tDOE 4.5 ns
  • BHE/BLE支持字节写
  • VCC供电2.2 V至3.6 V
  • 1.0 V数据保持模式
  • CE自动掉电(ISB1/ISB2)
  • 待机电流ISB2典型6 mA
  • 未选中时I/O为高阻
  • TTL兼容输入与输出
  • SER率<0.1 FIT/Mb

产品优势

  • 2 Mbit适合代码/数据缓存
  • ECC降低位翻转导致错误
  • 10 ns周期实现高速读访问
  • 4.5 ns OE降低读取延迟
  • 字节写减少总线传输量
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V电源
  • 低VCC下仍可保持数据
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • 6 mA待机便于功耗预算
  • 高阻态便于多器件共享总线
  • TTL电平易于逻辑接口
  • 低SER提升数据完整性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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