CY7C1051H30-10ZSXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1051H30-10ZSXE

数据手册
封装

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CY7C1051H30-10ZSXE
CY7C1051H30-10ZSXE
数据手册


商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 警报
    N
  • 质量等级
    Automotive
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1051H30-10ZSXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1051H30-10ZSXE是一款通过AEC-Q100认证的8-Mbit（512K×16）高速异步CMOS SRAM，集成ECC。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至125°C，访问时间10 ns，工作电流ICC最高160 mA。支持CE失选自动掉电，待机电流ISB2最高50 mA，并支持1.0 V数据保持。TTL兼容I/O，提供无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 8 Mbit（512K×16）SRAM
  • 内置ECC编码/解码
  • 10 ns读/写周期时间
  • OE到数据有效5 ns
  • VCC供电2.2 V到3.6 V
  • 环境温度-40°C到+125°C
  • CE自动掉电模式
  • 1.0 V数据保持(VDR)
  • fMAX时ICC最大160 mA
  • 输入/输出漏电±5 µA
  • CIN/COUT最大10 pF
  • TTL兼容输入/输出电平

产品优势

  • 8 Mbit容量存更多数据
  • ECC提升数据完整性
  • 10 ns周期降低访问延迟
  • OE 5 ns加速读访问
  • 2.2–3.6 V适配常用电源
  • -40到+125°C适应严苛环境
  • CE掉电降低空闲功耗
  • 1.0 V保持模式保护数据
  • 160 mA上限便于电源设计
  • ±5 µA漏电降低待机损耗
  • 10 pF负载利于高速总线
  • TTL电平简化接口设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区