CY7C1051H30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1051H30-10ZSXI

数据手册
封装

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CY7C1051H30-10ZSXI
CY7C1051H30-10ZSXI
数据手册


商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 警报
    N
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1051H30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1051H30-10ZSXI是一款8-Mbit（512K×16）高速异步CMOS SRAM，集成ECC用于单比特纠错（不支持自动回写）。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，地址访问时间10 ns。BLE/BHE支持高/低字节写入，CE/OE/WE控制读写及高阻失能。ICC在100 MHz下最大110 mA，ISB2最大30 mA。44引脚Pb-free TSOP II封装。

特性

  • 8 Mbit SRAM(512K×16)
  • ECC支持1位纠错
  • tAA地址访问10 ns
  • VCC供电2.2 V至3.6 V
  • 16位I/O带BHE/BLE字节
  • 异步CE/OE/WE控制
  • 未选通输出为高阻态
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • ISB2待机典型20 mA
  • 数据保持电压VDR=1.0 V
  • 读周期tRC=10 ns
  • OE到数据有效tDOE=5 ns

产品优势

  • ECC有助防止数据损坏
  • 10 ns访问降低读延迟
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • 字节写减少总线带宽
  • 异步接口简化MCU连接
  • 高阻态输出便于总线共享
  • 典型90 mA降低工作功耗
  • 低待机电流节省能耗
  • 1.0 V保持降低备份电源
  • OE 5 ns支持快速选通
  • 10 ns周期提升吞吐量
  • 标准引脚加快硬件调试
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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