CY7C1061G30-10ZXE
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1061G30-10ZXE

数据手册
封装

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CY7C1061G30-10ZXE
CY7C1061G30-10ZXE
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1Mx16
  • 认证标准
    Automotive (E)
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1061G30-10ZXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 192
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 192
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061G30-10ZXE是一款16-Mbit（1 M×16）异步CMOS SRAM，内置ECC，可在读周期检测并纠正单比特错误。10 ns速度等级支持高速随机访问，工作电压2.2 V至3.6 V，满足Automotive-E（−40°C至125°C）。直流指标：ICC最大160 mA、ISB2最大50 mA。支持BLE/BHE字节写入，采用无铅48引脚TSOP I。

特性

  • 16 Mbit SRAM（1M×16）
  • 内置ECC纠正1位错误
  • 地址访问时间tAA=10 ns
  • VCC供电2.2 V至3.6 V
  • 1.0 V数据保持模式
  • 20位地址总线A0–A19
  • 16位I/O总线I/O0–I/O15
  • BLE/BHE字节写使能
  • OE/CE控制，输出高阻
  • 输入漏电±5 µA
  • 输出漏电±5 µA
  • ESD>2001 V（MIL-STD-883）

产品优势

  • 16位字存储，无需刷新
  • ECC降低单比特数据错误
  • 10 ns读取匹配高速处理器
  • 2.2–3.6 V适配多电源
  • 1.0 V备电保持数据
  • 20位寻址便于内存映射
  • 16位总线提升单次带宽
  • 字节写使能减少写流量
  • 高阻输出便于总线共享
  • 低漏电降低待机损耗
  • 低漏电提升数据可靠性
  • 高ESD增强装配耐受
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