CY7C1069G30-10ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1069G30-10ZSXIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1069G30-10ZSXIT
CY7C1069G30-10ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1069G30-10ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C1069G30-10ZSXIT是一款16-Mbit（2M×8）异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特错误校正。器件在-40°C至85°C下工作，电源2.2 V至3.6 V，访问时间10 ns。双片选（CE1/CE2）及OE/WE控制便于总线连接，自动CE掉电降低待机电流。封装为54引脚TSOP II编带出货。

特性

  • 2M字×8位SRAM阵列
  • 内置ECC单比特纠错
  • tAA地址访问低至10 ns
  • 读周期tRC低至10 ns
  • tDOE低至5 ns
  • VCC=1.0 V数据保持
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • 掉电电流ISB2典型20 mA
  • 双片选输入(CE1,CE2)
  • 未选中时输出高阻
  • TTL兼容输入/输出
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

产品优势

  • 纠正SRAM单比特软错误
  • 通过ERR简化错误监测
  • 10 ns访问支持高速CPU
  • 5 ns OE实现快速总线读
  • 10 ns读周期提升吞吐
  • 1.0 V保持降低备份功耗
  • 100 MHz下降低运行电流
  • 掉电电流更低降低空闲耗电
  • 双片选便于地址译码
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平减少接口逻辑
  • 高ESD提升抗静电可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区