CY7C1372KV25-167AXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1372KV25-167AXC

数据手册
封装

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CY7C1372KV25-167AXC
CY7C1372KV25-167AXC
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    2.38 V 至 2.63 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    167 MHz
推荐的
OPN
CY7C1372KV25-167AXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1372KV25-167AXC是一款18 Mbit（1M×18）2.5 V同步流水线突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构。支持167 MHz总线，输入/输出全寄存器化，实现零等待的连续读写。VDD与VDDQ范围2.375 V至2.625 V。集成字节写控制、CEN时钟挂起、ZZ睡眠模式及IEEE 1149.1 JTAG边界扫描，采用Pb-free 100引脚TQFP封装。

特性

  • NoBL实现R/W零等待
  • 200 MHz同步流水SRAM
  • 200 MHz下tCO为3.2 ns
  • 输入输出全寄存器
  • 片上突发计数器，4拍
  • 线性或交错突发顺序
  • BWx字节写选择
  • 写周期输出自动三态
  • VDD电源2.375 V至2.625 V
  • VDDQ为2.375 V至VDD
  • CEN时钟使能保持状态
  • ZZ睡眠模式待机最大65 mA

产品优势

  • 零等待提升系统吞吐量
  • 200 MHz支持高速总线
  • 3.2 ns tCO降低读延迟
  • 流水化更易满足时序
  • 4拍突发减少地址开销
  • 突发顺序匹配缓存行
  • 字节写简化读改写更新
  • 自动三态避免总线争用
  • 2.5 V电源设计更简单
  • 独立VDDQ改善I/O匹配
  • CEN可暂停且不丢数据
  • ZZ模式降低待机功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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