CY7C1383KV33-133AXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1383KV33-133AXC

数据手册
封装

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CY7C1383KV33-133AXC
CY7C1383KV33-133AXC
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    3.135 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    Standard Sync, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    Standard Sync
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    133 MHz

推荐的
OPN
CY7C1383KV33-133AXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1383KV33-133AXC是一款18 Mbit同步直通SRAM，组织为1M × 18共用I/O，并集成片上ECC。支持133 MHz总线，最大时钟到数据有效tCDV为6.5 ns；通过2位回绕突发计数器实现2-1-1-1突发访问，支持线性或交错突发顺序。地址与片选为时钟上升沿寄存，内核供电3.3 V VDD，I/O供电2.5 V/3.3 V VDDQ，含ZZ睡眠模式。

特性

  • 18-Mbit同步贯通式SRAM
  • 通用I/O：512K×36或1M×18
  • 133 MHz总线工作
  • 最大6.5 ns时钟到数据(tCDV)
  • 2-1-1-1突发访问速率
  • 2位回绕突发计数器
  • MODE选线性或交织突发
  • ADSP或ADSC启动突发
  • ADV控制突发地址前进
  • BWE与BWx支持字节写
  • GW全局写覆盖字节写
  • ZZ睡眠模式，进出2周期

产品优势

  • 高速SRAM降低读延迟
  • 18-Mbit满足缓存/缓冲需求
  • 133 MHz适配高速处理器
  • 6.5 ns提升时序裕量
  • 突发访问提高吞吐
  • 内部计数器减少地址逻辑
  • 突发类型匹配CPU访问
  • ADSP/ADSC便于CPU+缓存连接
  • ADV便于控制突发节奏
  • 字节写减少写入流量
  • GW加速整字更新
  • ZZ睡眠降低空闲功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区