CY7C1440KV33-250BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1440KV33-250BZXI

数据手册
封装

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CY7C1440KV33-250BZXI
CY7C1440KV33-250BZXI
数据手册
  • ECC
    N
  • 密度
    36 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    Standard Sync, Pipeline SCD
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    Standard Sync
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 36
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    250 MHz
推荐的
OPN
CY7C1440KV33-250BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1440KV33-250BZXI是一款36-Mbit（1M × 36）流水线同步SRAM，用于二级缓存，支持最高250 MHz总线，输入/输出寄存并支持3-1-1-1突发访问。内核3.3 V、I/O为2.5 V或3.3 V，最大tCO 2.5 ns，并提供线性/交织突发计数器、ZZ睡眠模式及IEEE 1149.1 JTAG边界扫描。

特性

  • 同步总线高达250 MHz
  • 流水线寄存输入/输出
  • 时钟到输出tCO 2.5 ns
  • 2位突发计数器回绕
  • 交错或线性突发模式
  • ADSP与ADSC地址选通
  • 同步自定时写入
  • BWE与BWX支持字节写
  • GW全局写入全部字节
  • 异步OE三态输出
  • ZZ睡眠模式保持数据
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 支持250 MHz高速缓存SRAM
  • 流水线提升吞吐量
  • tCO 2.5 ns降低读延迟
  • 突发计数减少地址翻转
  • 适配线性或Pentium突发
  • 兼容处理器或控制器总线
  • 自定时写入简化时序
  • 字节写减少读改写
  • 全局写加速整字初始化
  • OE三态便于共享总线
  • 睡眠省电且保持数据
  • JTAG加速板级测试调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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