CY7C1470V33-167BZI
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CY7C1470V33-167BZI

数据手册
封装

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CY7C1470V33-167BZI
CY7C1470V33-167BZI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    167 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C1470V33-167BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P -BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85165)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY7C1470V33-167BZI是一款72 Mbit（2M × 36）同步流水突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构，可实现读/写连续切换且零等待。支持167 MHz总线，输入/输出全寄存，并带片上突发计数器（每个地址最多4次访问），支持线性或交织突发。内核电源3.3 V，I/O电源3.3 V/2.5 V，提供工业级165球FBGA封装。

特性

  • 72-Mbit同步流水突发SRAM
  • NoBL实现零总线延迟
  • 200 MHz总线，零等待
  • 输入/输出全寄存器化
  • tCO=3.0 ns时钟到输出
  • 片上突发计数器，4拍
  • 线性或交织突发顺序
  • BW[x]字节写选择
  • 单3.3 V VDD供电(3.135-3.6 V)
  • VDDQ支持3.3 V或2.5 V
  • ZZ睡眠模式，进出2tCYC
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 零延迟提升系统吞吐量
  • 200 MHz支持高速数据通路
  • 寄存器化I/O易于收敛时序
  • tCO 3.0 ns降低读延迟
  • 4拍突发减少地址开销
  • 可选突发适配控制器
  • 字节写加速读改写操作
  • 单3.3 V内核简化供电
  • 2.5/3.3 V I/O适配混压
  • ZZ模式降低待机功耗(120 mA)
  • 2tCYC唤醒实现快速恢复
  • JTAG边界扫简化板级测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区