CY7C1515KV18-250BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1515KV18-250BZXI

数据手册
封装

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CY7C1515KV18-250BZXI
CY7C1515KV18-250BZXI
数据手册
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II
  • 组织(X x Y)
    2M x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    250 MHz
推荐的
OPN
CY7C1515KV18-250BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 1360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 1360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1515KV18-250BZXI是一款72-Mbit QDR II同步流水线SRAM，组织为2M × 36，读写端口独立，免去数据总线翻转并支持并发访问。采用四字突发DDR接口（250 MHz时数据传输500 MHz），DOFF为高时读延迟1.5个周期，并通过ZQ实现可编程输出阻抗。工业级、无铅165球FBGA封装。

特性

  • 独立读写数据端口
  • 333 MHz时钟, DDR 666 MHz
  • 每次访问4字突发
  • DOFF=H时1.5周期延迟
  • DOFF=L时1周期读延迟
  • K/K与C/C差分时钟
  • CQ/CQ回响时钟便于采样
  • 读写端口复用地址总线
  • BWS支持字节写入
  • ZQ可编程输出阻抗
  • PLL支持120 MHz到fMAX
  • VDD 1.7–1.9 V, VDDQ 1.4–VDD

产品优势

  • 无需总线反转, 降低争用
  • 333 MHz实现更高带宽
  • 减少地址翻转, 降低EMI
  • 固定延迟便于流水线
  • 兼容QDR I时序选项
  • 提升DDR时序裕量
  • 简化高速数据采样
  • 更少引脚, PCB更易布线
  • 支持读改写更新
  • 阻抗匹配提升信号完整性
  • 降低偏斜, 数据定位更准
  • 支持1.8 V内核与1.5 V I/O

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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