CY7C1520KV18-333BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1520KV18-333BZXI

数据手册
封装

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CY7C1520KV18-333BZXI
CY7C1520KV18-333BZXI
数据手册


商品详情

  • Frequency
    333 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    DDR-II CIO
  • 组织(X x Y)
    2M x 36
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY7C1520KV18-333BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY7C1520KV18-333BZXI是一款72 Mbit（2M×36）DDR-II同步流水SRAM，采用双字突发架构。支持333 MHz时钟，DDR数据传输速率达666 MHz；DOFF为高时读延迟1.5个周期，DOFF为低时为兼容DDR-I的1个周期。VDD为1.7 V至1.9 V，VDDQ为1.4 V至VDD，165球FBGA（13×15×1.4 mm）无铅工业级封装。

特性

  • 72-Mbit DDR-II同步SRAM
  • 333 MHz时钟,666 MHz传输
  • 双字突发,1位计数器
  • DOFF高:1.5周期读延迟
  • DOFF低:1周期读延迟
  • 双输入时钟K/K
  • 双输出时钟C/C
  • 回波时钟CQ/CQ
  • BWS支持字节写
  • ZQ设定输出阻抗
  • PLL:120 MHz至fMAX
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 333 MHz时钟实现高带宽
  • 双字突发降低地址总线频率
  • 延迟可选兼容DDR-I/DDR-II
  • K/K时钟改善DDR时序
  • C/C时钟降低时钟偏斜
  • CQ/CQ简化高速数据采样
  • 字节写减少读改写操作
  • 阻抗控制提升信号完整性
  • PLL稳定高速数据时序
  • 深度扩展无需插入等待
  • 每个K上升沿可发起访问
  • JTAG边界扫描便于测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区