CY7C15632KV18-500BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C15632KV18-500BZXI

数据手册
封装

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CY7C15632KV18-500BZXI
CY7C15632KV18-500BZXI
数据手册


商品详情

  • Frequency
    500 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4M x 18
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY7C15632KV18-500BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY7C15632KV18-500BZXI是一款72-Mbit QDR II+同步流水SRAM（4 M × 18），读写端口独立，支持并发访问且无需总线翻转。最高500 MHz运行，DDR传输（数据速率1,000 MHz），四字突发，DOFF为高时读延迟2.5个周期。VDD为1.7 V至1.9 V，VDDQ为1.4 V至VDD，Pb-free 165球FBGA封装，-40至+85°C。

特性

  • QDR II+ SRAM，72 Mbit
  • 独立读/写数据端口
  • 支持读写并发访问
  • 500 MHz时钟工作
  • DDR I/O，1000 MHz传输
  • 四字突发架构
  • 2.5周期读延迟(DOFF=高)
  • CQ/CQ回波时钟采集
  • QVLD指示输出数据有效
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 72 Mbit满足大容量缓存
  • 免总线翻转，带宽更高
  • 并行读写减少资源争用
  • 500 MHz实现高吞吐
  • DDR每时钟翻倍数据率
  • 突发降低地址总线翻转
  • 固定延迟简化时序设计
  • CQ/CQ简化高速采样
  • QVLD降低读数错误
  • JTAG加速板级测试调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区