CY7C1650KV18-450BZC
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CY7C1650KV18-450BZC

数据手册
封装

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CY7C1650KV18-450BZC
CY7C1650KV18-450BZC
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    DDR-II+ CIO
  • 片上端接
    N
  • 系列
    DDR-II+ CIO
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    450 MHz
推荐的
OPN
CY7C1650KV18-450BZC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1650KV18-450BZC是一款144 Mbit DDR II+同步流水线SRAM，组织为4 M×36，支持双字突发。最高450 MHz时钟，DDR数据传输达900 MHz，读延迟为2.0个周期（DOFF为低时为1个周期）。内核VDD为1.7 V至1.9 V，I/O VDDQ为1.4 V至VDD。集成CQ/CQ回波时钟、QVLD有效指示、ZQ阻抗匹配与IEEE 1149.1 JTAG。

特性

  • 144-Mbit DDR II+流水SRAM
  • 450 MHz时钟, DDR达900 MHz
  • 两字突发架构
  • DOFF高: 2周期读延迟
  • DOFF低: DDR I 1周期延迟
  • 双输入时钟K与K
  • 回波时钟CQ/CQ
  • QVLD有效数据指示
  • ZQ引脚可编程阻抗
  • RQ 175–350 Ω阻抗匹配
  • PLL支持120 MHz到最高频
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 高带宽支撑高速存储系统
  • DDR提高每周期吞吐量
  • 两字突发降低地址翻转频率
  • 2周期延迟利于时序收敛
  • DDR I模式便于系统调试
  • K/K提升DDR时序裕量
  • CQ/CQ简化高速数据采样
  • QVLD减少读数据时序判断
  • ZQ匹配降低反射与振铃
  • RQ范围适配常见走线阻抗
  • PLL提升高速数据对齐精度
  • JTAG加速板级测试与调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区