CY7C2663KV18-450BZXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C2663KV18-450BZXC

数据手册
封装

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CY7C2663KV18-450BZXC
CY7C2663KV18-450BZXC
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    450 MHz
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II+, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 系列
    QDR-II+, ODT
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 读取延迟(周期)
    2.5
  • 质量等级
    Commercial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C2663KV18-450BZXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY7C2663KV18-450BZXC是一款144-Mbit QDR® II+同步流水SRAM（8M × 18），读写端口分离，可并发访问且无需数据总线翻转。支持四字突发与2.5周期读延迟，450 MHz时钟下DDR数据速率达1100 MHz。内核1.8 V，I/O电压1.4 V至VDD，集成回波时钟、QVLD、PLL和片上终端ODT，采用165球FBGA无铅封装。

特性

  • QDR II+ SRAM，4字突发
  • 550 MHz时钟，DDR至1100 MHz
  • 读写数据端口相互独立
  • 支持并发读写事务
  • 2.5周期读延迟(DOFF=1)
  • 1周期读延迟模式(DOFF=0)
  • D/BWS/K支持片上终端ODT
  • CQ/CQ回波时钟便于采样
  • QVLD指示输出数据有效
  • 稳定时钟20 µs锁定PLL
  • PLL最低工作到120 MHz
  • VDD 1.7–1.9 V; VDDQ 1.4–VDD

产品优势

  • 4字突发降低地址频率
  • DDR至1100 MHz提升带宽
  • 无需总线翻转降低延迟
  • 同时读写提高吞吐量
  • 2.5周期读出时序可预测
  • 1周期读出缩短访问延迟
  • ODT省外部终端电阻与面积
  • CQ/CQ降低高速采样难度
  • QVLD简化数据捕获逻辑
  • PLL改善数据对齐稳定性
  • 120 MHz也可用PLL更灵活
  • 支持1.4 V/1.5 V I/O电源

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区