CY7C4042KV13-933FCXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C4042KV13-933FCXC

数据手册
封装

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CY7C4042KV13-933FCXC
CY7C4042KV13-933FCXC
数据手册


商品详情

  • ECC
    Y
  • Frequency
    933 MHz
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.26 V 至 1.34 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-IV
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    QDR-IV
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 读取延迟(周期)
    8
  • 质量等级
    Commercial
  • 银行切换
    Y

推荐的
OPN
CY7C4042KV13-933FCXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 600
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 600
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7C4042KV13-933FCXC为72-Mbit QDR-IV XP SRAM，容量组织为2M × 36，带两个独立双向DDR数据端口及单一DDR地址总线。933速率等级最高933 MHz（1866 MT/s），支持两字突发、8个内部bank（每bank每周期一次访问），读延迟8周期、写延迟5周期。内核电压VDD为1.3 V，封装为361球无铅FCBGA。

特性

  • 72-Mbit同步SRAM
  • 随机事务率达2132 MT/s
  • 最高工作频率1066 MHz
  • 读延迟8个时钟周期
  • 写延迟5个时钟周期
  • 双独立DDR双向数据端口
  • DDR地址+SDR控制信号
  • 8个内部bank，每周期1次
  • 所有访问均为2字突发
  • 片上终端匹配ODT
  • 地址/数据总线反相
  • 片上ECC+地址奇偶校验

产品优势

  • 胜任高带宽存储需求
  • 支持1066 MHz高速访问
  • 读时序固定，便于设计
  • 更短写延迟减少停顿
  • 读写可全双工并发
  • 共享地址总线易布线
  • 分bank提升并行访问
  • 2字突发提升总线效率
  • ODT改善信号完整性
  • 反相降低SSN与EMI
  • ECC提升数据可靠性
  • 奇偶校验可及早报错

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区