CY7S1049GE30-10VXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7S1049GE30-10VXI

数据手册
封装

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CY7S1049GE30-10VXI
CY7S1049GE30-10VXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7S1049GE30-10VXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 475
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 475
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7S1049GE30-10VXI is a 4-Mbit (512K × 8) asynchronous SRAM with PowerSnooze™ Deep-Sleep and embedded ECC. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C, delivers 10 ns access time, and supports CE/OE/WE control with TTL-compatible I/O. ECC corrects single-bit errors and the ERR pin flags corrected reads. Deep-Sleep data retention draws up to 15 µA, with CMOS standby up to 8 mA.

特性

  • 4-Mbit SRAM, 512K × 8 org
  • 10 ns / 15 ns address access
  • Read cycle time tRC 10/15 ns
  • OE to data valid tDOE 4.5/8 ns
  • Embedded ECC corrects 1-bit errors
  • Deep-Sleep current IDS max 15 µA
  • DS to Deep-Sleep tDS max 1 ms
  • Wake to access tDSCA 300 µs
  • Data retention at VDR = 1.0 V
  • TTL-compatible inputs and outputs
  • Operating temp –40°C to +85°C

产品优势

  • Fast reads reduce memory latency
  • Quick OE timing speeds bus turns
  • ECC reduces silent data corruption
  • 15 µA Deep-Sleep cuts power draw
  • DS pin enables on-demand sleep
  • 300 µs wake supports fast resume
  • 1.0 V retention saves backup power
  • TTL levels ease legacy interfaces
  • –40°C to +85°C improves robustness
  • Predictable timing eases design

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区