CY7S1049GE30-10VXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7S1049GE30-10VXI

数据手册
封装

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CY7S1049GE30-10VXI
CY7S1049GE30-10VXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7S1049GE30-10VXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 475
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOJ-36
封装名 SOJ-36 (51-85090)
封装尺寸 475
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY7S1049GE30-10VXI是一款4 Mbit（512K×8）异步SRAM，集成PowerSnooze™深度睡眠和ECC。工作电压2.2 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C，访问时间10 ns，采用CE/OE/WE控制并支持TTL兼容I/O。ECC可校正单比特错误，ERR引脚指示已校正读事件。深度睡眠数据保持电流最高15 µA，CMOS待机电流最高8 mA。

特性

  • 4 Mbit SRAM，512K×8
  • 地址访问10 ns/15 ns
  • 读周期tRC 10/15 ns
  • tDOE 4.5 ns/8 ns
  • 内置ECC可纠正1位错误
  • 深度睡眠IDS最大15 µA
  • DS入睡tDS最大1 ms
  • 唤醒访问tDSCA 300 µs
  • VDR=1.0 V数据保持
  • TTL兼容输入与输出
  • 工作温度–40°C到+85°C

产品优势

  • 高速读取降低存取延迟
  • 快速OE时序加快总线周转
  • ECC降低静默数据损坏风险
  • 15 µA深睡降低功耗
  • DS引脚支持按需休眠
  • 300 µs唤醒支持快速恢复
  • 1.0 V保持节省备份电源
  • TTL电平便于兼容旧接口
  • –40°C到+85°C更可靠
  • 时序明确简化设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区