CY8C4127LCE-HV403
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY8C4127LCE-HV403

CY8C4127LCE-HV403 is a part of the PSOC™ 4 HV PA 144k series.
数据手册
封装

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CY8C4127LCE-HV403
CY8C4127LCE-HV403
数据手册


商品详情

  • 16-20位精密ΔΣ ADC
    2
  • AECQ 可用
    Yes
  • CAN-FD
    No
  • GPIO
    9
  • LIN
    1
  • LIN控制器
    Yes
  • SCB模块
    1
  • TCPWM 块
    4
  • 分类
    ISO 26262-compliant
  • 加密
    No
  • 封装
    Tray
  • 带ECC的SRAM
    8 kByte
  • 带ECC的代码闪存
    128 kByte
  • 带ECC的数据闪存
    8 kByte
  • 数字频道
    4
  • 温度
    - 40°C - + 125°C
  • 电压测量精度
    0.25 %
  • 目标应用程序
    IBS
  • 系列
    PSOC™ 4 HVPA-144K
  • 隔离UART
    No
  • 高压子系统(LDO，LIN PHY)
    Yes
  • 高压测量IOS (带HV分压器)
    2
  • 高电压测量精度（带高压分压器）
    0.25 %

推荐的
OPN
CY8C4127LCE-HV403
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VQFN-32
封装名 QFN-32 (002-29344)
封装尺寸 980
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VQFN-32
封装名 QFN-32 (002-29344)
封装尺寸 980
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC Mosfet features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特性

  • 革命性的半导体材料——碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值开启状态特性
  • 0V 关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控的 dv/dt
  • 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
  • 与温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适合高压爬电要求
  • XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • Efficiency improvement
  • Enabling higher frequency
  • Increased power density
  • Cooling effort reduction
  • Reduction of system complexity and cost
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区