新品
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CYEL15B256J-SXE

新品
耐辐射、高度可靠、256 Kb 非易失串行 ( I2C ) F-RAM™适用于 New Space
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CYEL15B256J-SXE
CYEL15B256J-SXE
数据手册

商品详情

  • 封装
    PG-SOIC-8
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 接口
    I2C
  • 系列
    F-RAM
  • 组织(X x Y)
    32 K x 8
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
CYEL15B256JSXEXLSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 97
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 97
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的耐辐射 256 Kb 铁电 RAM ( F-RAM™ ) 是业界低功耗、非易失存储器解决方案之一，可保证 50 Krad (Si) TID 和几乎无限的耐久性。英飞凌的即时非易失性写入技术和 121 年的数据保持能力为新的太空应用提供了最高的可靠性。

特性

  • 256 Kb 密度（32K x 8 组织结构）
  • 高耐久性 10 万亿次读/写
  • 数据保留 121 年
  • 快速两线串行接口 ( I2C )
  • 低功耗
  • –40°C 至 +125°C 汽车级温度
  • 8 引脚 SOIC 封装
  • 保证 50 Krad (Si) TID
  • 低电平工作电压：VDD（2.0V 至 3.6V）

产品优势

  • 符合ROHS规范
  • 50 Krad (Si) TID 辐射性能
  • 单批次日期代码 (SLDC)
  • 100% 电气测试覆盖率
  • 合格证书（CoC）

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }